Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > STB60N55F3
STB60N55F3
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
Solicitați preț și termen de plată
STB60N55F3 sunt disponibile, vă putem furniza STB60N55F3, utilizați formularul de cerere de ofertă pentru a solicita pirce STB60N55F3 și timp de livrare.Atosn.com un distribuitor profesional de componente electronice. Avem un inventar mare și putem livra rapid, contactați-ne astăzi și reprezentantul nostru de vânzări vă va oferi prețul și detaliile de expediere din partea # STB60N55F3. Includeți problemele de vămuire pentru a se potrivi țării dvs. Avem o echipă de vânzări profesioniștiși echipă tehnică, Așteptăm cu nerăbdare să lucrăm cu dvs.
Cerere de cotație
Parametrii produsului
- Vgs (a) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Tehnologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Pachetul dispozitivului furnizor
- D2PAK
- Serie
- STripFET™ III
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 8.5 mOhm @ 32A, 10V
- Distrugerea puterii (Max)
- 110W (Tc)
- ambalare
- Tape & Reel (TR)
- Pachet / Caz
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Alte nume
- 497-5954-2
- Temperatura de Operare
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Tipul de montare
- Surface Mount
- Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
- 2200pF @ 25V
- Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
- 45nC @ 10V
- Tipul FET
- N-Channel
- FET Feature
- -
- Tensiunea de transmisie (valorile max.
- 10V
- Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
- 55V
- descriere detaliata
- N-Channel 55V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
- Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
- 80A (Tc)
produse similare
- STMicroelectronics STB60N55F3
- Fișă tehnică STB60N55F3
- Foaie de date STB60N55F3
- Foaie de date pdf STB60N55F3
- Descărcați foaia de date STB60N55F3
- Imagine STB60N55F3
- Partea STB60N55F3
- ST STB60N55F3
- STMicroelectronics STB60N55F3