Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > STD12N60M2
STD12N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK
Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
Solicitați preț și termen de plată
STD12N60M2 sunt disponibile, vă putem furniza STD12N60M2, utilizați formularul de cerere de ofertă pentru a solicita pirce STD12N60M2 și timp de livrare.Atosn.com un distribuitor profesional de componente electronice. Avem un inventar mare și putem livra rapid, contactați-ne astăzi și reprezentantul nostru de vânzări vă va oferi prețul și detaliile de expediere din partea # STD12N60M2. Includeți problemele de vămuire pentru a se potrivi țării dvs. Avem o echipă de vânzări profesioniștiși echipă tehnică, Așteptăm cu nerăbdare să lucrăm cu dvs.
Cerere de cotație
Parametrii produsului
- Vgs (a) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±25V
- Tehnologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Pachetul dispozitivului furnizor
- DPAK
- Serie
- MDmesh™ M2
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 450 mOhm @ 4.5A, 10V
- Distrugerea puterii (Max)
- 85W (Tc)
- ambalare
- Tape & Reel (TR)
- Pachet / Caz
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Alte nume
- 497-16033-2
- Temperatura de Operare
- 150°C (TJ)
- Tipul de montare
- Surface Mount
- Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
- 538pF @ 100V
- Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
- 16nC @ 10V
- Tipul FET
- N-Channel
- FET Feature
- -
- Tensiunea de transmisie (valorile max.
- 10V
- Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
- 600V
- descriere detaliata
- N-Channel 600V 9A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK
- Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
- 9A (Tc)
produse similare
- STMicroelectronics STD12N60M2
- Fișă tehnică STD12N60M2
- Foaie de date STD12N60M2
- Foaie de date pdf STD12N60M2
- Descărcați foaia de date STD12N60M2
- Imagine STD12N60M2
- Partea STD12N60M2
- ST STD12N60M2
- STMicroelectronics STD12N60M2